View TZ800N12_203334.PDF datasheet online --- IC-ON-LINE

Datasheet File OCR Text:

www..com
Technische Information / Technical Information
Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module
TZ 800 N 12...18
T vj = - 40C...Tvj max
N
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Hochstzulassige Werte / Maximum rated values Periodische Vorwarts- und Ruckwarts-Spitzensperrspannung repetitive peak forward off-state and reverse voltages Vorwarts-Stospitzensperrspannung non-repetitive peak forward off-state voltage Ruckwarts-Stospitzensperrspannung non-repetitive peak reverse voltage Durchlastrom-Grenzeffektivwert RMS on-state current Dauergrenzstrom average on-state current Stostrom-Grenzwert surge current Grenzlastintegral It-value Kritische Stromsteilheit critical rate of rise of on-state current Kritische Spannungssteilheit critical rate of rise of off-state voltage Charakteristische Werte / Characteristic values Durchlaspannung on-state voltage Schleusenspannung threshold voltage Ersatzwiderstand slope resistance Zundstrom gate trigger current Zundspannung gate trigger voltage Nicht zundender Steuerstrom gate non-trigger current Nicht zundende Steuerspannung gate non-trigger voltage Haltestrom holding current Einraststrom latching current Vorwarts- und Ruckwarts-Sperrstrom forward off-state and reverse currents Zundverzug gate controlled delay time
T vj = Tvj max, iT = 3000 A T C = 85C 85C T C = 75C 85C T vj = 25C, tp = 10ms T vj = Tvj max, tp = 10ms T vj = 25C, tp = 10ms T vj = Tvj max, tp = 10ms DIN IEC 747-6 f = 50Hz, iGM = 1A, diG/dt = 1A/s T vj = Tvj max, vD = 0,67 VDRM 6. Kennbuchstabe / 6th letter F
VDRM, VRRM VDSM VRSM ITRMSM ITAVM ITSM
1200 1600 1200 1600 1300 1700
1400 1800 1400 1800 1500 1900 1500 800 955 35.000 30.000 6.125.000 4.500.000 200
V V V V V V A
T vj = - 40C...Tvj max
T vj = + 25C...Tvj max
A A A A As As A/s
It
(diT/dt)cr (dvD/dt)cr
1000
V/s
vT V(TO) rT IGT VGT IGD VGD IH IL iD, iR tgd
max.
1,5 0,85 0,17 250 2 10 5 0,2 500 2500 150 4
V
T vj = Tvj max
V
T vj = Tvj max
m
T vj = 25C, vD = 6V
max.
mA
T vj = 25C, vD = 6V
max.
V
T vj = Tvj max, vD = 6V T vj = Tvj max, vD = 0,5 VDRM T vj = Tvj max, vD = 0,5 VDRM
max. max. max.
mA mA V
T vj = 25C, vD = 6V, RA = 5
max.
mA
T vj = 25C, vD = 6V, RGK 10 iGM = 1A, diG/dt = 1A/s, tG = 20s T vj = Tvj max vD = VDRM, vR = VRRM DIN IEC 747-6 T vj = 25C, iGM = 1A, diG/dt = 1A/s
max.
mA
max.
mA
max.
s
prepared by: K.-A. Ruther approved by: Lother Kleber
data of publication: 00-09-13 revision:
BIP AM A 15/00
Seite 1
www..com
Technische Information / Technical Information
Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module
TZ 800 N 12...18
T vj = Tvj max, iTM = ITAVM vRM = 100V, VDM = 0,67 VDRM dvD/dt = 20V/s, -diT/dt = 10A/s 5. Kennbuchstabe / 5th letter O
N
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values Freiwerdezeit circuit commutated turn-off time tq
typ. VISOL
240 s 3 kV 3,6 kV
Isolations-Prufspannung insulation test voltage
RMS, f = 50Hz, t = 1min RMS, f = 50Hz, t = 1sec
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Warmewiderstand thermal resistance, junction to case Ubergangs-Warmewiderstand thermal resistance, case to heatsink Hochstzulassige Sperrschichttemperatur max. junction temperature Betriebstemperatur operating temperature Lagertemperatur storage temperature
pro Modul / per module, = 180sin pro Modul / per module, DC pro Modul / per module
RthJC RthCK T vj max T c op T stg
max. 0,0420 C/W max. 0,0405 C/W max. 0,0100 C/W 125 C -40...+125 C
-40...+130 C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehause, siehe Anlage case, see appendix Si-Elemente mit Druckkontakt, Amplifying-Gate Si-pellets with pressure contact, amplifying-gate Innere Isolation internal insulation Anzugsdrehmoment fur mechanische Befestigung mounting torque Anzugsdrehmoment fur elektrische Anschlusse terminal connection torque Gewicht weight Kriechstrecke creepage distance Schwingfestigkeit vibration resistance
f = 50Hz Toleranz / tolerance 15%
Seite 3 page 3
AlN 6 Nm 18 Nm
M1
Toleranz / tolerance +5% / -10%
M2
G
typ.
2750 g 36 mm
50 m/s
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindungmit den zugehorigen Technischen Erlauterungen./This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. BIP AM / 00-08-21, K.-A. Ruther A 15/00 Seite/page 2
www..com
Technische Information / Technical Information
Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module
TZ 800 N 12...18
N
BIP AM / 00-08-21, K.-A. Ruther
A 15/00
Z. Nr.: 1
Seite/page 3
www..com
Technische Information / Technical Information
Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module
TZ 800 N 12...18
N
Analytische Elemente des transienten Warmewiderstandes ZthJC fur DC Analytical elements of transient thermal impedance ZthJC for DC
Pos. n
1
2
3
4
5
6
7
R thn [ C / W] 0,00110 n [] s
0,00267 0,00866 0,02313 0,00507
0,01000
0,01880 0,30347 4,99400 9,98000
Analytische Funktion / analytical function : ZthJC = Rthn ( 1-EXP ( -t / n ))
n=1
n max
BIP AM / 00-08-21, K.-A. Ruther
A 15/00
Seite/page
4
www..com
Technische Information / Technical Information
Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module
TZ 800 N 12...18
N
1200 180 120
0
1000
90
60
800 = 30
P TAV [W]
600
400
200
0 0 200 400 I TAV [A] 600 800 1000
Durchlassverlustleistung pro Modul / On-state power loss per module PTAV Parameter: Stromflusswinkel / current conduction angle
BIP AM / 00-08-21, K.-A. Ruther
A 15/00
Z. Nr.: 2
Seite/page
5
www..com
Technische Information / Technical Information
Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module 140
TZ 800 N 12...18
N
0
120
100
TC [C]
80
60
40
= 30 20 0 200 400
60
90
120
180
600 ITAVM [A]
800
1000
Hochstzulassige Gehausetemperatur TC in Abhangigkeit vom Strom ITAVM Maximum allowable case temperature TC versus current ITAVM
BIP AM / 00-08-21, K.-A. Ruther
A 15/00
Z. Nr.: 3
Seite/page
6
www..com
Technische Information / Technical Information
Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module 1800
TZ 800 N 12...18
N
DC 1600
0
1400 180
1200 120 90 1000 PTAV [W] 60
800 = 30
600
400
200
0 0 500 ITAV [A] Durchlassverlustleistung pro Modul / On-state power loss per module PTAV Parameter: Stromflusswinkel / current conduction angle 1000 1500
BIP AM / 00-08-21, K.-A. Ruther
A 15/00
Z. Nr.: 4
Seite/page
7
www..com
Technische Information / Technical Information
Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module
TZ 800 N 12...18
N
140
0
120
100
TC[C]
80
60
40
= 30 20 0 200 400
60
90
120
180
DC
600
800 ITAVM [A]
1000
1200
1400
1600
Hochstzulassige Gehausetemperatur TC in Abhangigkeit vom Strom ITAVM Maximum allowable case temperature TC versus current ITAVM
BIP AM / 00-08-21, K.-A. Ruther
A 15/00
Z. Nr.: 5
Seite/page
8
www..com
Technische Information / Technical Information
Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module
5000 0,01
TZ 800 N 12...18
5000
N
RthCA [C/W]
4000
P tot [W]
4000
0,015 0,02 0,025 R-Last
3000 0,03 0,04 0,05 0,06 0,08 0,1 0,12 0,15 0,2 0,3
3000
L-Last
2000
2000
1000
1000
0 0 20 40 T A [C] 60 80 100
0
120 0
500
1000 I d [A]
1500
2000
B2 - Zweipuls-Bruckenschaltung/Two - puls bridge circuit Hochstzulassiger Ausgangsstrom Id in Abhangigkeit von der Umgebungstemperatur TA. Maximum allowabel outputcurrent Id versus ambient temperature TA Parameter: Warmewiderstand zwischen Powerblock und Umgebung/thermal resitance case to ambient RthCA
6000 0,01
6000
R thCA [C/W]
5000
5000
0,015
P tot [W]
4000
0,02 0,025 0,03 0,04 0,05 0,06 0,08 0,1 0,12 0,15 0,2 0,3
4000
3000
3000
2000
2000
1000
1000
0 0 20 40 60 80 T A [C] 100
0
120 0
500
Id [A]
1000
1500
2000
2500
B6 - Sechspuls-Bruckenschaltung/Six - puls bridge circuit Hochstzulassiger Ausgangsstrom Id in Abhangigkeit von der Umgebungstemperatur TA. Maximum allowabel outputcurrent Id versus ambient temperature TA Parameter: Warmewiderstand zwischen Powerblock und Umgebung/thermal resitance case to ambient RthCA
BIP AM / 00-08-21, K.-A. Ruther
A 15/00
Z. Nr.:
6
Seite/page 9
www..com
Technische Information / Technical Information
Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module
2500
0,02 0,025
TZ 800 N 12...18
2500
N
R thCA [C/W]
2000
0,03
2000
0,04
1500
P tot [W]
0,05 0,06
1500
1000
0,08 0,1
1000
500
0,15 0,2 0,3 0,4
500
0 0 20 40 60 TA [C] 80 100
0
120 0
400
800
1200
1600
2000
2400
W1C - Einphasen-Wechselwegschaltung/Single-phase inverse parallel circuit Hochstzulassiger Strom IRMS in Abhangigkeit von der Umgebungstemperatur TA. Maximum allowabel current IRMS versus ambient temperature TA Parameter: Warmewiderstand zwischen Powerblock und Umgebung/thermal residance case to ambient RthCA
4000
0,02
4000
I RMS [A]
R thCA [C/W]
3000
P tot [W]
0,025
3000
0,03
2000
0,04 0,05 0,06 0,08 0,1 0,15 0,2
0,3 0,4
2000
1000
1000
0
20 40 60 80 100
0
120 0
500
I RMS [A]
1000
1500
T A [C]
W3C - Dreiphasen-Wechselwegschaltung/Three-phase inverse parallel circuit Hochstzulassiger Strom je Phase IRMS in Abhangigkeit von der Umgebungstemperatur TA. Maximum allowabel current per Phase IRMS versus ambient temperature TA Parameter: Warmewiderstand zwischen Powerblock und Umgebung/thermal residance case to ambient RthCA
BIP AM / 00-08-21, K.-A. Ruther
A 15/00
Z. Nr.: 7
Seite/page
10
www..com
Technische Information / Technical Information
Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module
TZ 800 N 12...18
N
30.000
25.000
T A = 35 C vL = 45l/s
20.000
I T(OV)M [A]
15.000
T A = 45 C
10.000
5.000
0 0,01
0,1 t [s]
1
Grenzstrom IT(OV)M bei Luftselbstkuhlung, TA = 45 C und verstarkter Luftkuhlung, TA = 35 C Kuhlkorper KM17, vRM = 0,8 VRRM. Belastung nach Leerlauf Limiting overload on-state current IT(OV)M at natural (TA = 45 C) and forced (TA = 35 C) cooling heatsink type KM17, vRM = 0,8 VRRM. surge under no-load conditions
BIP AM / 00-08-21, K.-A. Ruther
A 15/00
Z. Nr.: 8
Seite/page
11
www..com
Technische Information / Technical Information
Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module
10000
TZ 800 N 12...18
N
iTM [A] 2000 1000
6000
500
4000
200
2000
100
Qr [As]
1000
800
600 400
200
100 1 10 -di/dt [A/s] 100
Sperrverzogerungsladung / Recoverd charge Qr = f(-di/dt) Tvj = Tvj max, v R = 0,5 VRRM, v RM = 0,8 VRRM Parameter: Durchlastrom / = On-State current iTM
BIP AM / 00-08-21, K.-A. Ruther
A 15/00
Z. Nr.: 9
Seite/page
12
www..com
Technische Information / Technical Information
Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module
TZ 800 N 12...18
N
Steuercharakteristik vG = f (iG) mit Zundbereichen fur VD = 6 V Gate characteristic vG = f (iG) with triggering area for VD = 6 V Hochstzulassige Spitzensteuerverlustleistung / Maximum rated peak gate power dissipation PGM = f (tg) : a - 20 W/10ms b - 40 W/1ms c - 60 W/0,5ms
BIP AM / 00-08-21, K.-A. Ruther
A 15/00
Z. Nr.:
10
Seite/page 13
www..com
Technische Information / Technical Information
Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module
TZ 800 N 12...18
N
Zundverzug / Gate controlled delay time tgd = f(iGM) Tvj = 25C, diG/dt = iGM/1s a - maximaler Verlauf / limiting characteristic b - typischer Verlauf / typical characteristic
BIP AM / 00-08-21, K.-A. Ruther
A 15/00
Z. Nr.: 11
Seite/page 14
www..com
Technische Information / Technical Information
Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module
TZ 800 N 12...18
N
0,050
= 60 180
0
0,040
0,030 Z (th) JC [C/W] 0,020 0,010 0,000 0,001
0,01
0,1 t [s]
1
10
100
Transienter innerer Warmewiderstand / Transient thermal impedance Z(th)JC = f(t) Parameter: Stromfluwinkel / current conduction angle
BIP AM / 00-08-21, K.-A. Ruther
A 15/00
Z. Nr.: 12
Seite/page
15
www..com
Technische Information / Technical Information
Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module
TZ 800 N 12...18
= 60 120 DC
N
0,050
0
0,040
0,030 Z (th) JC [C/W] 0,020 0,010 0,000 0,001
0,01
0,1 t [s]
1
10
100
Transienter innerer Warmewiderstand / Transient thermal impedance = f(t) Parameter: Stromfluwinkel / current conduction angle
BIP AM / 00-08-21, K.-A. Ruther
A 15/00
Z. Nr.: 13
Seite/page 16

▲Up To Search▲

Price & Availability of TZ800N12

	To Download TZ800N12 Datasheet File
If you can't view the Datasheet, Please click here to try to view without PDF Reader .